ویفر ساختگی

ویفرهای ساختگی به طور گسترده ای در ساخت نیمه هادی به عنوان هزینه-} راه حل مؤثر برای کالیبراسیون تجهیزات ، تثبیت فرآیند و آزمایش روتین مورد استفاده قرار می گیرند. بر خلاف ویفرهای محصول ، ویفرهای ساختگی مدارهای فعال را حمل نمی کنند ، اما آنها نقش مهمی در اطمینان از این که ابزارهای تولید به طور هموار قبل از بالا - VAFER های سیلیکون پردازش می شوند ، بازی می کنند.

ویفرهای ساختگی سیلیکون ما در اندازه های 6-} اینچ ، 8 اینچی و 12 اینچی با گزینه های متعدد برای دوپانت ها (P/Boron یا N/pH) ، ضخامت ، آپارتمان یا شکاف ها و سطح سطح (به عنوان برش ، چسبیده ، اچ ، SSP/DSP) در دسترس هستند. این مشخصات باعث می شود که آنها برای طیف گسترده ای از برنامه ها ، از صلاحیت ابزار گرفته تا توسعه فرآیند و نظارت بر تجهیزات مناسب باشند.

با استفاده از ویفرهای ساختگی ، تولید کنندگان می توانند هزینه ها را کاهش دهند ، عملکرد ویفر را بهبود بخشند و کیفیت مداوم در تولید تراشه را حفظ کنند. آنها یک انتخاب عملی برای FABS ، آزمایشگاه های تحقیقاتی و نگهداری تجهیزات نیمه هادی هستند.

اندازه های موجود:6 "، 8" و 12 "ویفرهای سیلیکونی

کنترل دقیق قطر:0.5 ± 150 میلی متر ، 0.5 mm 200 میلی متر ، 0.5 300 300 میلی متر

گزینه های دوپینگ انعطاف پذیر:P - نوع (بور) یا n {{1} type (فسفر)

دامنه ضخامت: 625±25 μm, 675±25 μm, 725±25 μm, 775±25 μm

گزینه های مسطح/شکاف:آپارتمان یا شکاف ، بسته به اندازه ویفر

پایان سطح:به عنوان - برش ، لپ زده ، اچ شده ، SSP (تک-} جلا داده شده) ، DSP (دو برابر-} صیقل داده شده)

هزینه - مؤثر:ایده آل برای کالیبراسیون تجهیزات ، نظارت بر ابزار و آزمایش فرآیند

عملکرد پایدار:قبل از پردازش ویفرهای محصول ، محیط تولید مداوم را تضمین می کند