سلول خورشیدی سیلیکونی نوع N

Silicon Heterojunction Technology (HJT) بر اساس یک قطره چکان دهنده و سطح پشتی (BSF) ساخته شده است که در اثر رشد دمای پایین لایه های بسیار نازک سیلیکون آمورف (a-Si: H) در دو طرف ویفرهای سیلیکون تک

سلول خورشیدی 210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) با راندمان 24.4 درصد و توان نامی 10.76 وات در هر سلول است.

فناوری Heterojunction سیلیکونی (HJT) بر اساس یک تابشگر و میدان پشتی (BSF) است که با رشد دمای پایین لایه‌های بسیار نازک سیلیکون آمورف (a-Si:H) در دو طرف ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی بسیار خوب تمیز شده

فناوری TOPCON (تماس غیرفعال شده با اکسید تونل) بازده سلول خورشیدی نوع N را تا 25 درصد افزایش می دهد. سلول خورشیدی TOPCon 210 میلی متری صنعتی با حداکثر بازده 24.4 درصد و توان نامی 10.76 وات است.

فناوری TOPCON (اکسید تونلی تماس غیرفعال) بهره وری سلول های خورشیدی نوع N را تا 24.5٪ افزایش می دهد. سلول خورشیدی Monocrystalline N type 182mm TOPCon دارای قدرت نامی 8.08Watt با بازده 24.5٪ است. پنل

به روز رسانی از فن آوری PERT، TOPCON (تونل اکسید تماس منفعل) فن آوری همراه با AlOx / SiNx لایه انفعل سازی افزایش N نوع 166mm بهره وری سلول های خورشیدی تا 24.4٪.Monocrystalline N نوع 166mm TOPCon سلول

سلول های خورشیدی سیلیکونی Mono bifacial PERT (امیتر منفعل عقب کاملاً پراکنده) نوع N دارای بازده تبدیل بالا و پایدار است. سلول خورشیدی PERT دو طرفه دو نوع را می توان با استفاده از کاشت یون برای دوپینگ

سلول های خورشیدی سیلیکونی PERT دو طرفه مونو N (مایع منفعل کاملاً پراکنده) دارای بازده تبدیل بالا و تثبیت شده است. سلول های خورشیدی سیلیکونی نوع N به دلیل داشتن سلول های خورشیدی بسیار کارآمد به عنوان

در ساختار سلول تماس برگشتی (IBC) ، امیتر و تماس هر دو در قسمت پشت ویفر قرار دارند که امکان بهینه سازی مستقل سطح جلویی برای خواص نوری و سطح پشتی را برای خصوصیات الکترونیکی فرستنده و تماس فراهم می کند.

سلول های خورشیدی سیلیکونی PERT دو طرفه مونو N (مایع منفعل کاملاً پراکنده) دارای بازده تبدیل بالا و تثبیت شده است. سلول های خورشیدی سیلیکونی نوع N به دلیل داشتن سلول های خورشیدی بسیار کارآمد به عنوان