P نوع M6 مونوکریستال سیلیکون ویفر خورشیدی با طول 166mm و قطر 223mm است 12.21٪ بزرگتر از ویفر M2. این بدان معنی است که سلول های خورشیدی ساخته شده از بستر M6 خواهد شد 12.21٪ خروجی قدرت بالاتر از آن ساخته شده از بستر M2.
1 خواص مواد
اموال | مشخصات | روش بازرسی |
روش رشد | Cz | |
بلوری بودن | منکریستللین
| تکنیک های Etch ترجیحی（اس تی ام اف۴۷-۸۸） |
نوع هدایت | نوع P | ناپسون EC-80TPN P/N |
دوبانت
| بور، گالیوم
| - |
غلظت اکسیژن[Oi] | ≦8E+17 در / سانتی متر3 | اف تی آر (ASTM F121-83) |
غلظت کربن[Cs] | ≦5E+16 در / سانتی متر3 | اف تی آر (اس تی ام اف۱۲۳-۹۱) |
چگالی چاله اتش(تراکم دریدن) | ≦۵۰۰ سانتی متر-3 | تکنیک های Etch ترجیحی（اس تی ام اف۴۷-۸۸） |
جهت گیری سطح | <100>±3° | روش پراش اشعه ایکس (ASTM F26-1987) |
جهت گیری کناره های مربع شبه | <010>,<001>±3° | روش پراش اشعه ایکس (ASTM F26-1987) |
2 خواص الکتریکی
اموال | مشخصات | روش بازرسی |
مقاومت | 0.5-1.5 Ωcm | سیستم بازرسی ویفر |
MCLT (طول عمر حامل اقلیت) | ≧50 میکروس | سینتون بی سی تی-۴۰۰ (با سطح تزریق: 1E15 سانتی متر-3) |
3 هندسه
اموال | مشخصات | روش بازرسی |
هندسه | مربع کامل | |
طول ویفر ساید | 166±0.25 میلی متر | سیستم بازرسی ویفر |
قطر ویفر | φ223±0.25 میلی متر | سیستم بازرسی ویفر |
زاویه بین کناره های مجاور | 90° ± 0.2° | سیستم بازرسی ویفر |
ضخامت | 180﹢20/﹣10 میکرومتر; 170﹢20/﹣۱۰ میکرومتر | سیستم بازرسی ویفر |
تی تی وی (تنوع ضخامت کل) | ≤27 میکرومتر | سیستم بازرسی ویفر |
4 خواص سطحی
اموال | مشخصات | روش بازرسی |
روش برش | Dw | -- |
کیفیت سطح | به عنوان برش و تمیز, هیچ آلودگی قابل مشاهده, (روغن یا گریس, اثر انگشت, لکه صابون, لکه های دوغاب, لکه های اپوکسی / چسب مجاز نیست) | سیستم بازرسی ویفر |
علائم اره / مراحل | ≤ 15μm | سیستم بازرسی ویفر |
تعظیم | ≤ ۴۰ میکرومتر | سیستم بازرسی ویفر |
تار | ≤ ۴۰ میکرومتر | سیستم بازرسی ویفر |
تراشه | عمق ≤.3mm و طول ≤ 0.5mm حداکثر 2 / کامپیوتر; بدون V تراشه | چشمان برهنه یا سیستم بازرسی ویفر |
میکرو ترک / سوراخ | مجاز نیست | سیستم بازرسی ویفر |
تگ های محبوب: p نوع m6 ویفر خورشیدی monocrystalline، چین، تامین کنندگان، تولید کنندگان، کارخانه، ساخته شده در چین
