ویفر خورشیدی سیلیکونی تک بلوری 210mmx210mm M12 با قطر 295 میلی متر 80.5٪ بزرگتر از ویفر M2 است.
1 خواص مواد
ویژگی | مشخصات | روش بازرسی |
روش رشد | CZ | |
تبلور | تک کریستالی | تکنیک های ترجیحی اچ（ASTM F47-88） |
نوع رسانایی | نوع P | Napson EC-80TPN P/N |
دوپانت | بور ، گالیوم | - |
غلظت اکسیژن [Oi] | ≦8E+17 در / سانتی متر3 | FTIR (ASTM F121-83) |
غلظت کربن [Cs] | ≦5E+16 در / سانتی متر3 | FTIR (ASTM F123-91) |
تراکم گودال اچ (تراکم دررفتگی) | ≦500 سانتی متر-3 | تکنیک های ترجیحی اچ（ASTM F47-88） |
جهت گیری سطح | & lt ؛ 100> ؛ ± 3 درجه | روش پراش اشعه ایکس (ASTM F26-1987) |
جهت گیری اضلاع مربع شبه | & lt؛ 010> ؛،<؛ 001>؛ ± 3 ° | روش پراش اشعه ایکس (ASTM F26-1987) |
2 خواص الکتریکی
ویژگی | مشخصات | روش بازرسی |
مقاومت | 0.5-1.5 Ωcm | سیستم بازرسی ویفر |
MCLT (طول عمر حامل اقلیت) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (با سطح تزریق: 1E15 سانتی متر-3) |
3هندسه
ویژگی | مشخصات | روش بازرسی |
هندسه | مربع کامل | |
طول ویفر | 182 ± 0.25 میلی متر | سیستم بازرسی ویفر |
قطر ویفر | φ247 ± 0.25 میلی متر | سیستم بازرسی ویفر |
زاویه بین دو طرف مجاور | 90° ± 0.2° | سیستم بازرسی ویفر |
ضخامت | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | سیستم بازرسی ویفر |
TTV (تغییر ضخامت کل) | ≤27 µm | سیستم بازرسی ویفر |
4 خصوصیات سطح
ویژگی | مشخصات | روش بازرسی |
روش برش | DW | -- |
کیفیت سطح | به عنوان برش و تمیز ، هیچ گونه آلودگی قابل مشاهده نیست ، (روغن یا گریس ، چاپ انگشت ، لکه صابون ، لکه دوغاب ، لکه های اپوکسی / چسب مجاز نیست) | سیستم بازرسی ویفر |
علائم / مراحل را دیدم | ≤ 15µm | سیستم بازرسی ویفر |
تعظیم | ≤ 40 µm | سیستم بازرسی ویفر |
تار کردن | ≤ 40 µm | سیستم بازرسی ویفر |
تراشه | عمق .30.3 میلی متر و طول ≤ 0.5 میلی متر حداکثر 2 / عدد ؛ بدون تراشه V | چشم برهنه یا سیستم بازرسی ویفر |
میکرو ترک / سوراخ | مجاز نیست | سیستم بازرسی ویفر |
تگ های محبوب: ویفر خورشیدی مونو کریستالی نوع p m10 ، چین ، تامین کنندگان ، تولید کنندگان ، کارخانه ، ساخت چین
