4H P-ویفر SiC را تایپ کنید

بسترهای SiC نوع P برای رشد هماپیتاکسیال و توسعه دستگاه های نیمه هادی با ولتاژ بالا- طراحی شده اند. با ویژگی‌های الکتریکی و حرارتی عالی، این-عملکرد بالابستر SiCبرای برنامه‌های کاربردی با{0}قدرت بالا، از جمله انتقال نیرو با ولتاژ فوق‌العاده-بال{{2} و زیرساخت‌های شبکه هوشمند مناسب است.

این نوع P{0}}ویفرهای SiCهمچنین از برنامه‌های کاربردی در حمل‌ونقل ریلی، سیستم‌های قدرت صنعتی، و سایر تجهیزات الکتریکی با قدرت بالا پشتیبانی می‌کند که در آنها قابلیت ولتاژ بالا، قابلیت اطمینان و تبدیل توان کارآمد مورد نیاز است.

 

6 اینچی
قطر	150.0mm+0mm/-0.2mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>± 0.5 درجه
طول تخت اولیه	47.5mm±1.5mm
جهت گیری مسطح اولیه	<1120>± 5.0 درجه
جهت بریدگی	/
زاویه بریدگی	/
عمق بریدگی	/
ضخامت	350.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	p{0}}نوع

 

 

 

8 اینچی
قطر	200.0mm+0mm/-0.2mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>± 0.5 درجه
طول تخت اولیه	شکاف
جهت گیری مسطح اولیه	/
جهت بریدگی	<1100>± 1.0 درجه
زاویه بریدگی	90 درجه +5 درجه /-1 درجه
عمق بریدگی	1.0mm+0.25mm/-0mm
ضخامت	350.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	p{0}}نوع

 

12 اینچ
قطر	300.0mm±0.5mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>± 0.5 درجه
طول تخت اولیه	شکاف
جهت گیری مسطح اولیه	/
جهت بریدگی	<1100>± 5.0 درجه
زاویه بریدگی	90 درجه +5 درجه /-1 درجه
عمق بریدگی	1.0mm+0.25mm/-0mm
ضخامت	750.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	p{0}}نوع