معرفی محصولات
بسترهای SiC نیمه{0}عایق مقاومت بالا و خواص حرارتی عالی ارائه می‌دهند، که آنها را برای رشد هترواپیتاکسیال GaN و کاربردهای نیمه‌رسانای RF فرکانس بالا مناسب می‌سازد. به عنوان یک-عملکرد بالابستر SiC، به طور گسترده برای دستگاه های مبتنی بر HEMT{0}}در سیستم های ارتباطی پیشرفته، از جمله زیرساخت 5G استفاده می شود.
این نیمه{0}}عایقویفرهای SiCهمچنین ویژگی‌های نوری و مواد بسیار خوبی را ارائه می‌کند، و از برنامه‌های نوظهور در الکترونیک نوری و الکترونیک پوشیدنی{0}}اینچ بسترهای SiC پشتیبانی می‌کند، پتانسیلی برای کاربردهای نسل بعدی مانند عینک‌های AR و سایر دستگاه‌های نوری پیشرفته ارائه می‌دهد.
مشخصات
| 6 اینچی | |
|---|---|
| قطر | 150.0mm+0mm/-0.2mm |
| جهت گیری سطح | {0001}±0.2 درجه |
| جهت گیری مسطح اولیه | / |
| جهت گیری تخت ثانویه | / |
| طول تخت اولیه | شکاف |
| طول تخت ثانویه | هیچ کدام |
| جهت بریدگی | <1100>± 1.0 درجه |
| عمق بریدگی | هیچ یک میلی متر+0.25میلی متر/-0 میلی متر از لبه |
| زاویه بریدگی | 90 درجه +5 درجه /-1 درجه |
| ضخامت | 500.0m±25.0um |
| تایپ کنید | نیمه{0}}عایق |
| 8 اینچی | |
|---|---|
| قطر | 200.0mm+0mm/-0.5mm |
| جهت گیری سطح | {0001}±0.2 درجه |
| جهت گیری مسطح اولیه | / |
| جهت گیری تخت ثانویه | / |
| طول تخت اولیه | شکاف |
| طول تخت ثانویه | هیچ کدام |
| جهت بریدگی | <1100>± 1.0 درجه |
| عمق بریدگی | هیچ یک میلی متر+0.25میلی متر/-0 میلی متر از لبه |
| زاویه بریدگی | 90 درجه +5 درجه /-1 درجه |
| ضخامت | 500.0m±25.0um |
| تایپ کنید | نیمه{0}}عایق |
| 12 اینچ | |
|---|---|
| قطر | 300.0mm+0mm/-0.5mm |
| جهت گیری سطح | {0001}±0.5 درجه |
| جهت گیری مسطح اولیه | / |
| جهت گیری تخت ثانویه | / |
| طول تخت اولیه | شکاف |
| طول تخت ثانویه | هیچ کدام |
| جهت بریدگی | <1100>± 5.0 درجه |
| عمق بریدگی | هیچ یک میلی متر+0.25میلی متر/-0 میلی متر از لبه |
| زاویه بریدگی | 90 درجه +5 درجه /-1 درجه |
| ضخامت | 750.0m±25.0um |
| تایپ کنید | نیمه{0}}عایق |
گواهی
تگ های محبوب: 4H Semi{1} ویفر SiC عایق، چین، تامین کنندگان، تولید کنندگان، کارخانه، ساخت چین
