4H N-نوع بستر SiC

زیرلایه های SiC نوع N برای رشد هماپیتاکسی در تولید نیمه هادی های توان پیشرفته مهندسی شده اند. با عملکرد الکتریکی و حرارتی برتر، این عملکرد بالا-بستر SiCبرای کاربردهای{0}قدرت بالا در وسایل نقلیه الکتریکی، سیستم‌های فتوولتائیک، نیروی باد و سایر فناوری‌های انرژی جدید مناسب است.

طیف محصولات شامل 6 اینچ و 8 اینچ می باشدویفرهای SiCبرای تولید حجمی و عرضه جهانی، با قابلیت تولید بستر 12{1}}اینچی برای کاربردهای نیمه هادی های برق نسل بعدی در دسترس است.

 

6 اینچی
قطر	150.0mm+0mm/-0.2mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>0.5± درجه
طول تخت اولیه	47.5 میلی متر ± 1.5 میلی متر
جهت گیری مسطح اولیه	<1120>± 1.0 درجه
جهت بریدگی	/
زاویه بریدگی	/
عمق بریدگی	/
آپارتمان ثانویه	N/A
ضخامت	350.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	n-نوع

 

 

 

8 اینچی
قطر	200.0mm+0mm/-0.5mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>0.5± درجه
طول تخت اولیه	شکاف
جهت گیری مسطح اولیه	/
جهت بریدگی	<1100>± 1.0 درجه
زاویه بریدگی	90 درجه +5 درجه /-1 درجه
عمق بریدگی	1.0mm+0.25mm/-0mm
آپارتمان ثانویه	N/A
ضخامت	500.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	n-نوع

 

 

12 اینچ
قطر	300.0mm+0mm/-0.5mm
جهت گیری سطح	4 درجه به سمت<1120>0.5± درجه
طول تخت اولیه	شکاف
جهت گیری مسطح اولیه	/
جهت بریدگی	<1100>± 5.0 درجه
زاویه بریدگی	90 درجه +5 درجه /-1 درجه
عمق بریدگی	1.0mm+0.25mm/-0mm
آپارتمان ثانویه	N/A
ضخامت	750.0m±25.0um
چند تایپ	4H
تایپ کنید	n-نوع